MB85RC64VPNF-G-JNE1

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RAMXEED

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MB85RC64VPNF-G-JNE1イメージ図
イメージ図
MB85RC64VPNF-G-JNE1外形寸法図
外形寸法図

　製品概要
メーカー名 RAMXEED
製品型番

MB85RC64VPNF-G-JNE1
カテゴリ1

FeRAM

カテゴリ2

シリアルメモリ
供給状況 供給中
パッケージ MB85RC64VPNF-G-JNE1
荷姿 バルク
RoHS RoHS対応

在庫状況
在庫数量：0
在庫場所：―
ＤＣ：N/A
納期：―
弊社、提携先の在庫が足りない場合は、メーカーや代理店または市場在庫品を調査致します！
　製品詳細
用途
特徴 ・ビット構成:8,192 ワード ×8 ビット
・2線式シリアルインタフェース:シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
・動作周波数:1 MHz (Max)
・書込み/ 読出し耐性 :1012 回 / バイト
・データ保持特性:10 年(＋85 ℃), 95 年 ( ＋55 ℃), 200 年以上 ( ＋ 35 ℃)
・動作電源電圧 :3.0 V ～ 5.5 V
・低消費電力 : 動作電流90 μA (Typ @ 1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
・動作温度範囲:－40 ℃～＋85 ℃
・パッケージ : プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。
特性 MB85RC64Vは, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた8,192 ワー
ド×8 ビット構成のFeRAM (Ferroelectric Random Access Memory: 強誘電体ランダムアクセスメモリ) です。
MB85RC64Vは, SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用しなくてもデータ保持が可能です。
MB85RC64Vに採用しているメモリセルは書込み/読出し動作でバイトあたり最低1012 回の耐久性があり, ほかの不揮
発性メモリ製品よりも大きく上回ります。
MB85RC64Vでは, フラッシュメモリやE2PROMのような長い書込み時間は不要のため, 1バイト単位での書込みを 実
現しています。 したがって, ライトビジー状態のような書込み完了待ちシーケンスは必要としません。

類似型番
※スペックやパッケージ違いなどにご注意ください
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－


STOCK EMS(提携先EMS在庫)
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－
※こちらは敬誠の姉妹サイトになります。
提携EMS会社の在庫で、正規品ではありますが、
環境調査・不良解析等のサポートは行っておりません。
詳しくはSTOCK EMS内のご利用ガイドをご確認ください。


納期について


製品 詳細情報ご利用の際のお願い
弊社ＨＰの規格表のデータはメーカー発表の資料に基づいて作成しておりますが、
メーカーでは改良などのために予告なく仕様が変更されることがあります。
またデータ量が多いため一部省略、誤りがある場合がございますのでご了承ください。
ご不明な点などございましたら、問い合わせフォームよりご連絡お願い致します。

実際に製品を購入する前には当該メーカーにお問い合わせの上、必ず仕様をご確認ください。

記載されたデータによって生じた不具合などについては、責任を負いかねますのでご了承ください。