MB85RC16VPNF-G-JNN1E1

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RAMXEED

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RAMXEED

MB85RC16VPNF-G-JNN1E1イメージ図
イメージ図
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1外形寸法図
外形寸法図

　製品概要
メーカー名 RAMXEED
製品型番

MB85RC16VPNF-G-JNN1E1
カテゴリ1

FeRAM

カテゴリ2

シリアルメモリ
供給状況 供給中
パッケージ MB85RC16VPNF-G-JNN1E1
荷姿 バルク
RoHS RoHS対応

在庫状況
在庫数量：70
在庫場所：自社在庫
ＤＣ：2012年+
納期：15:00までのご注文は当日出荷可
販売単位 / 単価(税別) / 希望数量
     10個    ¥300      
弊社、提携先の在庫が足りない場合は、メーカーや代理店または市場在庫品を調査致します！
　製品詳細
用途
特徴 ・ビット構成：2,048 ワード × 8 ビット
・2 線式シリアルインタフェース ：シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
・動作周波数：1 MHz (Max)
・書込み/ 読出し耐性：1012 回 / バイト
・データ保持特性：10 年(＋85 ℃), 95 年 ( ＋55 ℃), 200 年以上 ( ＋ 35 ℃)
・動作電源電圧：3.0 V ～ 5.5 V
・低消費電力：動作電源電流 90 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
・動作温度範囲：－40 ℃～＋85 ℃：プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。
特性 MB85RC16Vは, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた 2,048ワー
ド×8 ビット構成のFeRAM (Ferroelectric Random Access Memory: 強誘電体ランダムアクセスメモリ) です。
MB85RC16Vは, SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用しなくてもデータ保持が可能です。
MB85RC16Vに採用しているメモリセルは書込み/読出し動作でバイトあたり最低1012 回の耐久性があり, ほかの不揮
発性メモリ製品よりも大きく上回ります。
MB85RC16Vでは, フラッシュメモリやE2PROMのような長い書込み時間は不要のため, 1バイト単位での書込みを 実
現しています。 したがって, ライトビジー状態のような書込み完了待ちシーケンスは必要としません。

類似型番
※スペックやパッケージ違いなどにご注意ください
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－


STOCK EMS(提携先EMS在庫)
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－
※こちらは敬誠の姉妹サイトになります。
提携EMS会社の在庫で、正規品ではありますが、
環境調査・不良解析等のサポートは行っておりません。
詳しくはSTOCK EMS内のご利用ガイドをご確認ください。


納期について


製品 詳細情報ご利用の際のお願い
弊社ＨＰの規格表のデータはメーカー発表の資料に基づいて作成しておりますが、
メーカーでは改良などのために予告なく仕様が変更されることがあります。
またデータ量が多いため一部省略、誤りがある場合がございますのでご了承ください。
ご不明な点などございましたら、問い合わせフォームよりご連絡お願い致します。

実際に製品を購入する前には当該メーカーにお問い合わせの上、必ず仕様をご確認ください。

記載されたデータによって生じた不具合などについては、責任を負いかねますのでご了承ください。