製品詳細
用途 |
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特徴 |
・ビット構成:524,288 ワード×8ビット ・書込み/読出し耐性:1010回/バイト ・データ保持特性:10 年(+55 ℃), 55 年 ( +35 ℃) ・動作電源電圧:3.0 V ~ 3.6 V ・低消費電力:動作電源電流15 mA(標準) スタンバイ電流50 μA(標準) ・動作周囲温度:-40 ℃~+85 ℃ ・パッケージ:プラスチックTSOP, 48ピン(FPT-48P-M48) 本製品はRoHS指令に適合しています。 |
特性 |
MB85R4001Aは、強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOSプロセス技術を用いて製造された524,288ワード×8ビットの不揮発性メモリセルからなるFeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)チップです。 MB85R4001Aは、SRAMに必要なバックアップ電池を使用せずにデータを保持することができます。 MB85R4001Aで使用されているメモリセルは、1010回の読み出し/書き込みが可能で、フラッシュメモリやE2PROMがサポートする読み出し/書き込み回数より大幅に向上しています。 MB85R4001Aは、従来の非同期SRAMと互換性のある擬似SRAMインターフェースを使用しています。
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類似型番
※スペックやパッケージ違いなどにご注意ください
製品型番/メーカー |
在庫数 |
リンク |
- 対象製品無し - |
STOCK EMS(提携先EMS在庫)
製品型番/メーカー |
在庫数 |
リンク |
- 対象製品無し - |
※こちらは敬誠の姉妹サイトになります。 提携EMS会社の在庫で、正規品ではありますが、 環境調査・不良解析等のサポートは行っておりません。
詳しくはSTOCK EMS内のご利用ガイドをご確認ください。
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