MB85R256FPF-G-BNDE1

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RAMXEED

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MB85R256FPF-G-BNDE1イメージ図
イメージ図
MB85R256FPF-G-BNDE1外形寸法図
外形寸法図

　製品概要
メーカー名 RAMXEED
製品型番

MB85R256FPF-G-BNDE1
カテゴリ1

FeRAM

カテゴリ2

シリアルメモリ
供給状況 廃止品
パッケージ MB85R256FPF-G-BNDE1
荷姿 バルク
RoHS RoHS対応

在庫状況
在庫数量：0
在庫場所：―
ＤＣ：N/A
納期：―
弊社、提携先の在庫が足りない場合は、メーカーや代理店または市場在庫品を調査致します！
　製品詳細
用途
特徴 ・ビット構成：32,768 ワード×8ビット
・書込み/読出し耐性 ：1012回 / バイト
・データ保持特性：10 年(＋85 ℃), 95 年 ( ＋55 ℃), 200 年以上 ( ＋ 35 ℃)
・動作電源電圧：2.7 V ～ 3.6 V
・低消費電力：動作電源電流5 mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
・動作周囲温度：－40 ℃～＋85 ℃
・パッケージ：プラスチック・SOP,28ピン(FPT-28P-M17)
プラスチック・SOP,28 ピン(FPT-28P-M01)
プラスチック・TSOP (1),28ピン(FPT-28P-M19)
両パッケージ品共にRoHS指令に適合しています。
特性 MB85R256Fは、強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOSプロセス技術を用いて不揮発性メモリセルを形成した、32,768ワード×8ビット構成のFRAM（Ferroelectric Random Access Memory）チップです。
MB85R256Fは、SRAMに必要なバックアップ電池を使用せずにデータを保持することができます。
MB85R256Fに使用されているメモリセルは、1012回の読み出し/書き込みが可能で、フラッシュメモリやE2PROMがサポートする読み出し/書き込み回数より大幅に向上しています。
MB85R256Fは、従来の非同期SRAMと互換性のある擬似SRAMインターフェースを使用しています。

類似型番
※スペックやパッケージ違いなどにご注意ください
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－


STOCK EMS(提携先EMS在庫)
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－
※こちらは敬誠の姉妹サイトになります。
提携EMS会社の在庫で、正規品ではありますが、
環境調査・不良解析等のサポートは行っておりません。
詳しくはSTOCK EMS内のご利用ガイドをご確認ください。


納期について


製品 詳細情報ご利用の際のお願い
弊社ＨＰの規格表のデータはメーカー発表の資料に基づいて作成しておりますが、
メーカーでは改良などのために予告なく仕様が変更されることがあります。
またデータ量が多いため一部省略、誤りがある場合がございますのでご了承ください。
ご不明な点などございましたら、問い合わせフォームよりご連絡お願い致します。

実際に製品を購入する前には当該メーカーにお問い合わせの上、必ず仕様をご確認ください。

記載されたデータによって生じた不具合などについては、責任を負いかねますのでご了承ください。