製品詳細
用途 |
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特徴 |
・ビット構成:65,536ワード×16ビット ・LB,UB切換え機能・書込み/読出し耐性:1010回 / バイト ・データ保持特性:10年 (+55 ℃), 55年 (+35 ℃) ・動作電源電圧:3.0 V~3.6 V・低消費電力:動作電源電流 10 mA (Typ) スタンバイ電流 10 A (Typ) ・動作周囲温度:-40℃~+85℃ ・パッケージ:プラスチック TSOP, 48ピン 本製品はRoHS指令に適合しています。
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特性 |
MB85R1002Aは, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOSプロセスを用いた65,536ワード× 16ビット構成のFeRAM (Ferroelectric Random Access Memory :強誘電体ランダムアクセスメモリ) です。 MB85R1002Aは, SRAMのようなデータバックアップ用バッテリを使用することなくデータを保持できます。 MB85R1002Aに採用しているメモリセルは書込み/読出し動作でバイトあたり最低1010回の耐性があり, フラッシュメモリやE2PROMの書換え可能回数を大きく上回ります。 MB85R1002Aは, 擬似SRAMインタフェースを採用しています。
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類似型番
※スペックやパッケージ違いなどにご注意ください
製品型番/メーカー |
在庫数 |
リンク |
- 対象製品無し - |
STOCK EMS(提携先EMS在庫)
製品型番/メーカー |
在庫数 |
リンク |
- 対象製品無し - |
※こちらは敬誠の姉妹サイトになります。 提携EMS会社の在庫で、正規品ではありますが、 環境調査・不良解析等のサポートは行っておりません。
詳しくはSTOCK EMS内のご利用ガイドをご確認ください。
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