MB85R1001ANC-GE1

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RAMXEED

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RAMXEED

MB85R1001ANC-GE1イメージ図
イメージ図
MB85R1001ANC-GE1外形寸法図
外形寸法図

　製品概要
メーカー名 RAMXEED
製品型番

MB85R1001ANC-GE1
カテゴリ1

FeRAM

カテゴリ2

パラレルメモリ
供給状況 供給中
パッケージ MB85R1001ANC-GE1
荷姿 バルク
RoHS RoHS対応

在庫状況
在庫数量：0
在庫場所：―
ＤＣ：N/A
納期：―
弊社、提携先の在庫が足りない場合は、メーカーや代理店または市場在庫品を調査致します！
　製品詳細
用途
特徴 ・ビット構成:131,072ワード×8ビット
・書込み/読出し耐性:1010回/バイト
・データ保持特性:10年(＋55 ℃), 55年(＋35 ℃)
・動作電源電圧:3.0V~3.6V
・低消費電力:動作電源電流10 mA(標準)
スタンバイ電流10< A(標準)
・動作周囲温度:－40 ℃～＋85 ℃
・パッケージ:プラスチック・TSOP,48ピン
本製品はRoHS指令に適合しています。
特性 MB85R1001Aは, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOSプロセスを用いた131,072ワード× 8ビット構成のFeRAM (Ferroelectric Random Access Memory :強誘電体ランダムアクセスメモリ)です。
MB85R1001Aは, SRAMのようなデータバックアップ用バッテリを使用することなくデータ保持ができます。
MB85R1001Aに採用しているメモリセルは書込み/読出し動作でバイトあたり最低1010回の耐性があり,フラッシュメモリやE2PROMの書換え可能回数を大きく上回ります。
MB85R1001Aは, 擬似SRAMインタフェースを採用しています。

類似型番
※スペックやパッケージ違いなどにご注意ください
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－


STOCK EMS(提携先EMS在庫)
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－
※こちらは敬誠の姉妹サイトになります。
提携EMS会社の在庫で、正規品ではありますが、
環境調査・不良解析等のサポートは行っておりません。
詳しくはSTOCK EMS内のご利用ガイドをご確認ください。


納期について


製品 詳細情報ご利用の際のお願い
弊社ＨＰの規格表のデータはメーカー発表の資料に基づいて作成しておりますが、
メーカーでは改良などのために予告なく仕様が変更されることがあります。
またデータ量が多いため一部省略、誤りがある場合がございますのでご了承ください。
ご不明な点などございましたら、問い合わせフォームよりご連絡お願い致します。

実際に製品を購入する前には当該メーカーにお問い合わせの上、必ず仕様をご確認ください。

記載されたデータによって生じた不具合などについては、責任を負いかねますのでご了承ください。